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DSS60600MZ4-13中文资料

DSS60600MZ4-13图片

DSS60600MZ4-13外观图

  • 大小:99.6KB
  • 厂家:Diodes Inc.
  • 描述: TRANSISTOR, PNP, SOT223, 1.2W; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Power Dissipation Pd:1.2W; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:150; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:50mV; Current Ic Continuous a Max:100mA; Gain Bandwidth ft Typ:100MHz; Hfe Min:150; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:1.2W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS)
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):6A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):350mV @ 600mA,6A
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):120 @ 1A,2V
  • 功率 - 最大:1.2W
  • 频率 - 转换:100MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装:SOT-223
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:DSS60600MZ4DITR

DSS60600MZ4-13供应商

更新时间:2023-01-18 01:19:04
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